ĐẶC ĐIỂM NỔI BẬT
- Giao diện: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
- Dung lượng: 1TB (1,000GB)
- Tốc độ đọc tuần tự: Up to 14,700 MB/s
- Tốc độ ghi tuần tự: Up to 13,300 MB/s
- Tốc độ đọc ngẫu nhiên: Up to 1,850,000 IOPS
- Tốc độ ghi ngẫu nhiên: Up to 2,600,000 IOPS
- Loại bộ nhớ: Samsung V-NAND TLC
- Bộ nhớ Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM
- Bảo mật: AES 256-bit Encryption, TCG/Opal IEEE1667
- Tiêu thụ điện năng: 7.6W (đọc) / 7.2W (ghi), chế độ chờ 3.3mW
Ổ cứng SSD Samsung 9100 PRO 1TB | PCIe Gen5 x4 NVMe, M.2 2280 (MZ-VAP1T0BW)
TẤT CẢ KHUYẾN MÃI: Xem tại đây
Miễn phí giao hàng nội thành TP. Buôn Ma Thuột cho đơn từ 500K
Danh mục gợi ý liên quan:
Mô tả sản phẩm
Samsung 9100 PRO 1TB dành cho nhu cầu lưu trữ tốc độ cao
Samsung 9100 PRO 1TB MZ-VAP1T0BW là SSD M.2 2280 sử dụng giao diện PCIe 5.0 x4 và chuẩn NVMe 2.0. Sản phẩm hướng đến game thủ, người sáng tạo nội dung và người dùng chuyên nghiệp cần xử lý dữ liệu nhanh.
Tốc độ tuần tự lên đến 14.700 MB/s
Ổ cứng đạt tốc độ đọc tuần tự tối đa 14.700 MB/s và ghi tuần tự tối đa 13.300 MB/s. Khả năng truy xuất ngẫu nhiên đạt tối đa 1.850.000 IOPS khi đọc và 2.600.000 IOPS khi ghi, hỗ trợ khởi động hệ thống, tải game và xử lý dữ liệu hiệu quả hơn.
V-NAND TLC và bộ nhớ đệm DRAM riêng
Samsung trang bị cho 9100 PRO bộ nhớ V-NAND TLC cùng 1GB Low Power DDR4X SDRAM làm bộ nhớ đệm. Ổ có độ bền 600 TBW và mức độ tin cậy 1,5 triệu giờ MTBF.
Bảo mật dữ liệu và mức tiêu thụ điện
Sản phẩm hỗ trợ AES 256-bit Encryption và TCG/Opal IEEE1667. Điện năng tiêu thụ trung bình là 7,6W khi đọc, 7,2W khi ghi và 3,3mW ở chế độ chờ.
Lựa chọn thực tế tại Máy Tính BMT
Với dung lượng 1TB và tốc độ cao của PCIe 5.0 x4, Samsung 9100 PRO phù hợp cho người dùng tại Buôn Ma Thuột muốn nâng cấp không gian lưu trữ cho game, nội dung sáng tạo hoặc công việc chuyên nghiệp.
Thông số kỹ thuật
| Thông tin chung | |
|---|---|
| Thương hiệu | Samsung |
| Tên / Mã sản phẩm | BZ-O-CUNG-SSD-SAMSU-D4C8600C |
| Tình trạng | In Stock |
| Thông số cơ bản | |
| Dung lượng | 1TB |
| Thông số kỹ thuật | |
| Chuẩn kết nối | PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0, M.2 2280 |
| DRAM | 1GB Samsung Low Power DDR4X SDRAM |
| DRAM Cache | Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM |
| Độ bền (TBW) | 600 TBW |
| Loại SSD | SSD M.2 NVMe |
| MTBF | 1.500.000 giờ |
| NAND | Samsung V-NAND TLC |
| Tốc độ đọc ngẫu nhiên | 1850K IOPS |
| Tốc độ đọc tuần tự | 14700 MB/s |
| Tốc độ ghi ngẫu nhiên | 2600K IOPS |
| Tốc độ ghi tuần tự | 13300 MB/s |
| Trọng lượng | Max 9.0g |
| Thông tin chung | |
| Bảo hành | 60 tháng (5 năm) |
| Ngành hàng | Ổ cứng SSD |
| Nhu cầu | Gaming |
| Tên sản phẩm | SSD SAMSUNG 1T 9100 PRO NVME GEN5 M2 (MZ-VAP1T0BW ) CHÍNH HÃNG - BH 60T |
| Thương hiệu | SAMSUNG |
| Tình trạng | Mới |
| Kích thước & Điện năng | |
| Kích thước | M.2 2280, 80.15 x 22.15 x 2.38 mm |
Đánh giá sản phẩm
Chia sẻ trải nghiệm thực tế để giúp khách hàng khác lựa chọn tốt hơn.